Samsung на деле доказала превосходство фирменных техпроцессов для выпуска кристаллов оперативной памяти. Она долгое время была технологическим лидером отрасли, но последние два–три года уступила в этом американской компании Micron. Сегодня Samsung снова впереди с самым передовым 14-нм техпроцессом, в котором расширено использование сканеров диапазона EUV. По сумме технологических прорывов равных в этом ей нет.

Официальным пресс-релизом компания Samsung сообщила, что приступила к массовому выпуску памяти стандарта DDR5 с использованием 14-нм техпроцесса. Впервые за 11 лет компания назвала точные нормы масштаба техпроцесса, вместо неинформативной фразы о том или ином классе техпроцесса, например, о 10-нм классе, если говорить о представленной сегодня памяти. Но сделано это под давлением инвесторов, которые подозревали, что по технологичности производства памяти Samsung начала уступать Micron.

И действительно, изучение кристаллов памяти Micron показало, что даже без EUV-сканеров память этого производителя выпускается с нормами, близкими к 14 нм (14,3 нм). Память компании Samsung при этом выпускалась с технологическими нормами ближе к 20 нм, чем к 14. Скрывать точную информацию позволяла классификация. Когда это раскрылось, представитель Samsung пообещал, что компания выпустит честную 14-нм память осенью 2021 года. Сегодня такая память начала производиться в массовых количествах, так что Samsung своё слово сдержала и, повторим, впервые за более чем две пятилетки не стала скрывать техническую информацию.

Samsung начала массовое производство самой современной оперативной памяти DDR5 по техпроцессу 14-нм EUV

Кому-то это может показаться малозначительным событием. Но для понимания достижений той или иной компании в отрасли это очень и очень ценная информация, которую раньше приходилось добывать из третьих и часто непроверенных источников. Надеемся, инициативу Samsung поддержат другие производители памяти, и мы получим ещё одну точку опоры для сравнения техпроцессов разных компаний.

Кроме того, при производстве новой памяти число слоёв, которые изготавливаются с помощью сканеров EUV, увеличено с двух до пяти. Можно утверждать, что теперь большинство критических слоёв в памяти производства Samsung выпускается с использованием самого передового в мире литографического оборудования. Компания Micron к этому придёт только через пару лет или около того, а SK hynix только-только начинает производство с использованием 13,5-нм сканеров EUV.

Samsung начала массовое производство самой современной оперативной памяти DDR5 по техпроцессу 14-нм EUV

За счёт расширения перехода на производство с помощью сканеров EUV компания Samsung смогла ещё немного повысить плотность ячеек памяти и, в частности, на 20 % увеличила выпуск кристаллов памяти (очевидно, с каждой пластины). Дополнительно переход на 14-нм техпроцесс позволил снизить энергопотребление памяти почти на 20 %, а благодаря новому стандарту скорость передачи достигает беспрецедентного значения 7,2 Гбит/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, достигающей 3,2 Гбит/с.

Источник: 3dnews.ru

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь