Команда разработчиков из Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), Ульсанского национального института науки и технологий (UNIST) и Кембриджского университета объявила об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Такая информация публикуется на сайте компании Samsung. Как утверждается, данная разработка ускорит появление полупроводников следующего поколения. Аморфный нитрид бора (a-BN) состоит из атомов бора и азота с аморфной структурой молекулы. В отличие от традиционного соединения бора и азота (так называемого «белого графена»), здесь атомы бора и азота расположены в гексагональной структуре, что делает a-BN уникальным образцом.

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе диэлектрическую проницаемость, хорошие электрические и механические свойства и может использоваться в качестве изоляционного материала для минимизации электрических помех. Материал может быть выращен при относительно низкой температуре — всего 400° C. Ожидается, что a-BN найдет широкое применение в чипах памяти следующего поколения DRAM и NAND. Пока неизвестно, как долго ждать первых пользовательских образцов на базе данной технологии. Разработчики уверяют, что уже работают над внедрением материала в серийное производство для коммерческих устройств.

Источник: mobile-review.com