TSMC сделала значительный шаг в области разработки полупроводниковых компонентов. Так, крупнейший в мире производитель микросхем находится на завершающей стадии создания 2 нм технологии, которая в ближайшем будущем появится в чипсетах электронных устройств. Согласно информации, опубликованной ресурсом PatentlyApple, в грядущем 2 нм техпроцессе будет использоваться архитектура полевых транзисторов с несколькими мостовыми каналами (MBCFET), в то время как при 3 нм и 5 нм технологиях применяется архитектуры полевых транзисторов плавникового типа (FinFET). Ожидается, что в архитектуре MBCFET будут устранены физические ограничения, связанные с утечками токов управления, которые были присущи FinFET.

Компания планирует выйти на серийное изготовление продукции с использованием 2 нм техпроцесса в 2024 году, соответствующая производственная площадка уже готовится на Тайване. Кроме многообещающих финансовых перспектив, которые сулит данная разработка, есть еще один позитивный момент для TSMC: с запуском 2 нм технологии компания значительно опередит своего главного конкурента — Samsung.

Источник: mobile-review.com